• 供應(yīng) RA20H8994M
  • 價(jià)格:面議
  • 品牌:MITSUBISHI
  • 產(chǎn)品簡(jiǎn)介:
  • RA20H8994M是20-watt RF的MOSFET放大器模塊for 12.5-volt,在896-經(jīng)營(yíng)移動(dòng)收音機(jī)941-MHz范圍.電池可以直接連接到漏極增強(qiáng)型MOSFET晶體管.如果沒(méi)有門(mén)電壓(VGG進(jìn)排水=0V),只是一個(gè)很小的泄漏電流與輸入信號(hào)衰減的RF高達(dá)60 dB.輸出功率作為柵極和漏極電壓增加電流增加.隨著gate voltage around 4V (minimum), output power and

    產(chǎn)品詳情商家聯(lián)系電話:86-0755-83996702

    RA20H8994M是20-watt RF的MOSFET放大器模塊for 12.5-volt,在896-經(jīng)營(yíng)移動(dòng)收音機(jī)941-MHz范圍.電池可以直接連接到漏極增強(qiáng)型MOSFET晶體管.如果沒(méi)有門(mén)電壓(VGG進(jìn)排水=0V),只是一個(gè)很小的泄漏電流與輸入信號(hào)衰減的RF高達(dá)60 dB.輸出功率作為柵極和漏極電壓增加電流增加.隨著gate voltage around 4V (minimum), output power and drain current大幅增加.額定輸出功率變?yōu)榭稍?.5V(典型值)和5V(最大).在VGG=5V,典型柵極電流1 mA.該模塊是專(zhuān)為非線性調(diào)頻調(diào)制,但可能也可用于線性調(diào)制通過(guò)設(shè)置靜態(tài)漏電流隨柵極電壓和輸出功率控制輸入功率

    特征
    •增強(qiáng)型MOSFET晶體管(IDD≅0@ VDD=12.5V, VGG=0V)
    • Pout>20W,ηT>25% @ VDD=12.5V, VGG=5V, Pn=50mW
    •寬帶頻率范圍:896-902/ 935-941MHz
    •低功耗控制電流IGG=1mA (typ)在VGG=5V
    •模塊尺寸:66 x 21 x 9.88 mm
    •線性操作有可能通過(guò)設(shè)置靜態(tài)漏電流同門(mén)電壓和輸出功率的控制輸入功率
    廠商資料
    三菱射頻模塊及功率管,Honeywell全系列傳感器和變送器,日本科索電源模塊,微波射頻器件等。
    廠商動(dòng)態(tài)
     
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